Laboratório de Epitaxia

Local: sala 114 (CCE).
Telefone: (31) 3612-6297.
Professor responsável: Sukarno Olavo Ferreira.

Este laboratório é dedicado à produção de filmes finos e nanoestruturas semicondutoras utilizando as técnicas de epitaxia de paredes quentes (HWE) e epitaxia de feixes moleculares (MBE). São fabricadas camadas epitaxiais de CdTe e CdMnTe sobre substratos cristalinos de silício e arseneto de gálio e camadas policristalinas sobre vidro e kapton.

Infra-estrutura

Sistema de Epitaxia por Paredes Quentes (HWE)

Formado por sistema de vácuo com bomba difusora (P ~ 2 x 10-6 Torr) e uma célula de efusão para CdTe (T < 550° C) e um forno para substrato (150° C < T < 400° C).

Sistema de Crescimento Epitaxial por Feixes Moleculares (MBE)

Sistema home made com 4 células de efusão (T < 900° C) formo para substrato (T < 850° C) e sistema de vácuo com bomba turbo molecular, bomba iônica e bomba sublimação de Titânio (P ~ 3 x 10-8 Torr).